Основные параметры биполярного транзистора 2N2149

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 12W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: NSC
Корпус: TO3
Найти datasheet