Основные параметры биполярного транзистора 2SC4781

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO92
Найти datasheet