Основные параметры биполярного транзистора 2G321

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
Производитель: TADIRAN
Корпус: TO5
Найти datasheet