Основные параметры биполярного транзистора 2SC5024

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 800V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 ... 50
Емкость коллекторного перехода (Cc): 120 pF
Производитель: SAMSUNG
Корпус: TO218
Найти datasheet