Основные параметры биполярного транзистора 2SC592

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 13W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 75V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO31
Найти datasheet