Основные параметры биполярного транзистора 2SC648

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 280
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO18
Найти datasheet