Основные параметры биполярного транзистора 2SC656

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 130
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
Производитель: MATSUSHITA
Корпус: X23
Найти datasheet