Основные параметры биполярного транзистора 2SC80

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 80mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 55
Емкость коллекторного перехода (Cc): 7 pF
Производитель: NEC
Корпус: TO17
Найти datasheet