Основные параметры биполярного транзистора 2SC811

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 180mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60
Емкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO72
Найти datasheet