Основные параметры биполярного транзистора 2SC935

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 12W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 300V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 8 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO3
Найти datasheet