Основные параметры биполярного транзистора 2SC941TM-O

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 140
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO92
Найти datasheet