Основные параметры биполярного транзистора 2SC966

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO18
Найти datasheet