Основные параметры биполярного транзистора 2SC99

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: MATSUSHITA
Корпус: TO18
Найти datasheet