Основные параметры биполярного транзистора 2SD1001

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 2W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): 7 pF
Производитель: NEC
Корпус: SP0
Найти datasheet