Основные параметры биполярного транзистора 2SD1015

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 140V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 50V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 50V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SONY
Корпус: TO92
Найти datasheet