Основные параметры биполярного транзистора 2SD1050

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 9A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10000
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: XM20
Найти datasheet