Основные параметры биполярного транзистора 2SD1055

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: SPECIAL
Найти datasheet