Основные параметры биполярного транзистора 2SD1155

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 400V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 400
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SANYO
Корпус: SPECIAL
Найти datasheet