Основные параметры биполярного транзистора 2SD1356-R

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): 90 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO220
Найти datasheet