|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1692-YОсновные параметры биполярного транзистора 2SD1692-Y - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 15W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 150V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 7000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: SAMSUNG
- Корпус: TO126
- Найти datasheet

|
|