Основные параметры биполярного транзистора 2SD170A

Материал: Ge
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 32V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO1
Найти datasheet