Основные параметры биполярного транзистора 2SD1767

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 700mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 75
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: SP0
Найти datasheet