Основные параметры биполярного транзистора 2SD1979

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1500
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: SOT23
Найти datasheet