|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1995Основные параметры биполярного транзистора 2SD1995 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: SOT33
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC3079 |
Si | npn | 360mW | 50V | - | - | 60mA | 500MHz | 40 ... 120 | X73 | | 2SC3194 |
Si | npn | 360mW | 50V | - | - | 50mA | 550MHz | 20 (min) | TO92 | | 2SC3195 |
Si | npn | 360mW | 50V | - | - | 50mA | 550MHz | 80 | U29-1 | | 2SD1199 |
Si | npn | 400mW | 40V | - | - | 50mA | - | 80 | X73 | | 2SD2073 |
Si | npn | 400mW | 50V | - | - | 50mA | - | 1000 | TO92 | |
|
|
|