|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD2179Основные параметры биполярного транзистора 2SD2179 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 90
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: SOT33
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC4482 |
Si | npn | 1W | 60V | - | - | 5A | - | 45 | X73 | | 2SD1244 |
Si | npn | 1W | 40V | - | - | 5A | 150MHz | 20 (min) | X73 | | 2SD1934 |
Si | npn | 1W | 40V | - | - | 5A | - | 30 (min) | TO92 | | 2SD2097 |
Si | npn | 1W | 50V | - | - | 5A | 150MHz | 30 ... 90 | SOT33 | | 2SD2249 |
Si | npn | 1W | 40V | - | - | 5A | 150MHz | 40 (min) | SOT33 | |
|
|
|