|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N2363Основные параметры биполярного транзистора 2N2363 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 200
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
- Производитель: TI
- Корпус: TO72
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1748 |
Ge | pnp | 60mW | 25V | - | - | 50mA | 10MHz | 30 ... 150 | TO9 | | 2N1748A |
Ge | pnp | 60mW | 25V | - | - | 50mA | 10MHz | 50 (min) | TO9 | | 2N1788 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 20MHz | 50 (min) | TO9 | | 2N1789 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 20MHz | 20 (min) | TO9 | | 2N1790 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 20MHz | 40 (min) | TO9 | | 2N1866 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 30MHz | 40 (min) | TO9 | | 2N1867 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 30MHz | 10 (min) | TO9 | | 2N265 |
Ge | pnp | 75mW | 25V | - | - | 50mA | 600KHz | 115 | R32 | | GFT22/30 |
Ge | pnp | 80mW | 30V | ## | ## | 50mA | 1.3MHz | 150 (min) | TO30 | | GFT25/30 |
Ge | pnp | 80mW | 30V | ## | ## | 50mA | 850KHz | 50 (min) | TO5 | | T1737 |
Ge | pnp | 60mW | 25V | - | - | 50mA | 10MHz | 50 (min) | TO9 | | T2019 |
Ge | pnp | 60mW | 25V | - | - | 50mA | 10MHz | 30 ... 150 | TO9 | | T2021 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 20MHz | 50 (min) | TO9 | | T2022 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 20MHz | 20 (min) | TO9 | | T2023 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 20MHz | 40 (min) | TO9 | | T2025 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 30MHz | 40 (min) | TO9 | | T2026 |
Ge | pnp | 60mW | 35V | - | - | 50mA | 30MHz | 10 (min) | TO9 | |
|
|
|