Основные параметры биполярного транзистора 2SD34

Материал: Ge
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO7
Найти datasheet