Основные параметры биполярного транзистора 2SD5075

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1500V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3.5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 8 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SAMSUNG
Корпус: TOP3
Найти datasheet