Основные параметры биполярного транзистора 2SD528

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 8A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 350 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO3
Найти datasheet