Основные параметры биполярного транзистора 2SD533

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 270V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SONY
Корпус: TO3
Найти datasheet