Основные параметры биполярного транзистора 2SD552

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 220V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO3
Найти datasheet