Основные параметры биполярного транзистора 2SD583

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 250V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 35 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO3
Найти datasheet