Основные параметры биполярного транзистора 2SD626

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 6A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 300 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO3
Найти datasheet