Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2SD652

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 500V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 6A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 3000
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: TOSHIBA
  
• Корпус: TO66
  
• Найти datasheet