Основные параметры биполярного транзистора 2SD666

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 320
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO92
Найти datasheet