Основные параметры биполярного транзистора 2SD767

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 90 ... 650
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pF
Производитель: MATSUSHITA
Корпус: TO92
Найти datasheet