Основные параметры биполярного транзистора 2SD801

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 800V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 6A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 3.5 ... 12
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO3
Найти datasheet