Основные параметры биполярного транзистора 2T7055

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 117W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: MEB
Корпус: TO3
Найти datasheet