Основные параметры биполярного транзистора 3N113

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): ##
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
Производитель: CRY
Корпус: TO72
Найти datasheet