Справка

Основные параметры биполярного транзистора 3N75

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
  
• Производитель: CRY
  
• Корпус: TO72
  
• Найти datasheet