Справка

Основные параметры биполярного транзистора 3ODB045D

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 45A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  
• Производитель: STE
  
• Корпус: X2N
  
• Найти datasheet