Основные параметры биполярного транзистора A5T4125

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 310mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 150
Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
Производитель: TI
Корпус: TO92
Найти datasheet