Основные параметры биполярного транзистора AT00510

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 12V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 60mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1 pF
Производитель: TRW
Корпус: TO131
Найти datasheet