Основные параметры биполярного транзистора 2N266

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25
Емкость коллекторного перехода (Cc): 35 pF
Производитель: GEN
Корпус: R32
Найти datasheet