Основные параметры биполярного транзистора BD112

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 130
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: STE
Корпус: TO3
Найти datasheet