Основные параметры биполярного транзистора 2N2871

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 60V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 60V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
Производитель: HUGHES
Корпус: TO77-1
Найти datasheet