Основные параметры биполярного транзистора BDT85F

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 21W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: PHILIPS
Корпус: ISO220
Найти datasheet