Основные параметры биполярного транзистора BDX32

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 40W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1700V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 4A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 8 (min)
Производитель: STE
Корпус: TO3
Найти datasheet