Основные параметры биполярного транзистора BF115

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 145mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115M
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45 ... 165
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pF
Производитель: PHILIPS
Корпус: TO72
Найти datasheet