Основные параметры биполярного транзистора BF693W

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1.1W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 200V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Производитель: TI
Корпус: TO92
Найти datasheet